下载一种用于MRAM的磁性半金属材料的阻尼调控方法的技术资料

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一种用于MRAM的磁性半金属材料的阻尼调控方法,采用分子束外延的生长方法在MgO衬底上生长变Al成分即偏化学计量比的Co...
该专利属于南京大学;浙江驰拓科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南京大学;浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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