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经修饰的配体门控的离子通道及使用方法技术
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文档序号:25316518
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本文件涉及用于调控配体门控离子通道(LGIC)活性的材料和方法。例如,提供了包含至少一个LGIC亚基的经修饰的LGIC,所述LGIC亚基具有经修饰的配体结合域(LBD)和/或经修饰的离子孔域(IPD)。还提供了可以结合并激活经修饰的LGIC...
该专利属于霍华休斯医学研究院所有,仅供学习研究参考,未经过霍华休斯医学研究院授权不得商用。
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