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本发明公开了一种用于双主动有源桥暂态移相控制方法,双主动有源桥拓扑结构是两个H桥和一个高频变压器,所有开关管占空比均为50%,同一桥臂开关管互补导通;控制方法包括,第一H桥的左上开关管与右下开关管相位差为内移相角,第二H桥的开关管与第一H桥...该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。
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本发明公开了一种用于双主动有源桥暂态移相控制方法,双主动有源桥拓扑结构是两个H桥和一个高频变压器,所有开关管占空比均为50%,同一桥臂开关管互补导通;控制方法包括,第一H桥的左上开关管与右下开关管相位差为内移相角,第二H桥的开关管与第一H桥...