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一种用于生长过渡金属二硫属化物层的方法，其涉及将具有第一含过渡金属的垫块的基材布置在化学气相沉积室中。在化学气相沉积室中，将含硫属元素的前体布置在基材的上游。加热化学气相沉积室一段时间，在此期间，在与第一含过渡金属的垫块相邻的区域中形成过渡...
该专利属于阿卜杜拉国王科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过阿卜杜拉国王科技大学授权不得商用。

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