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一种相变存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有底电极；形成覆盖所述底电极表面的第一介电层；在所述第一介电层内形成位于所述底电极上方的第一开口；在所述第一开口内填充牺牲层，所述牺牲层内形成有孔洞；刻蚀所述牺牲层，至所述孔洞的顶部...该专利属于江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司授权不得商用。