温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用。其方法为：在300～400℃条件下，在基体表面由下向上依次磁控溅射底电极、缓冲层、铁酸铋膜，降低温度至室温，在铁酸铋膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材质为能够与铁酸铋晶...
该专利属于欧阳俊所有，仅供学习研究参考，未经过欧阳俊授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。