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本发明提供一种量子阱发光结构、GaN基绿光发光二极管及生长方法，涉及半导体照明技术领域，用于解决发光二极管在驱动电流变化下蓝移以及半峰宽增加的技术问题，本发明实施例提供的量子阱发光层具有至少一层In...
该专利属于圆融光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆融光电科技股份有限公司授权不得商用。

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