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提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围，使得在第一I...
该专利属于阿卜杜拉国王科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过阿卜杜拉国王科技大学授权不得商用。

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