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本发明涉及钝化接触型太阳能电池及其制造方法。该方法包括以下步骤：(i)制备基片，该基片包含：第一半导体层，位于第一半导体层上的隧道氧化物层，位于隧道氧化物层上的第二半导体层，位于第二半导体层上的第一绝缘层，以及在隧道氧化物层另一侧位于第一半...
该专利属于杜邦电子公司所有，仅供学习研究参考，未经过杜邦电子公司授权不得商用。

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