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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和多个分立于衬底上的鳍部，鳍部顶部形成有掩膜层，鳍部露出的衬底上形成有露出掩膜层顶部的介质材料层，基底包括图形稀疏区和图形密集区，图形密集区上的鳍部分布密度高于图形稀疏区中的鳍部分...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。