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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一导电层以及位于第一导电层上的刻蚀停止材料层；在刻蚀停止材料层上形成缓冲材料层；在缓冲材料层上形成第二介电层，缓冲材料层的C含量少于第二介电层中的C含量；刻蚀第二介电层，形成露出...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。