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本发明公开一种光检测结构，包含在一绝缘体上锗(GeOI)芯片的一器件层内形成的锗(Ge)光电二极管、基于所述锗光电二极管(PD)的多个焦平面阵列；以及公开一种制备所述锗光电二极管及焦平面阵列(FPA)的方法。一FPA包含结合至一ROIC的一...
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