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本发明涉及一种基于应变的光集成器件及其制备方法。该制备方法包括：在硅衬底上生长硅外延层；在所述硅外延层上刻蚀第一沟槽形成第一外延层区域以及第二外延层区域；在所述第二外延层区域刻蚀第二沟槽形成第一外延层子区域以及第二外延层子区域；在所述第一外...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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