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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓栅极级联单元，包括功率器件和耗尽型器件，所述功率器件的漏极作为功率器件单元的漏极，功率器件的源极与耗尽型器件的栅极连接，共同作为功率器件单元的源极，功率器件的栅极与耗尽型器件的源极连接，耗尽型器件的...
该专利属于嘉兴景焱智能装备技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴景焱智能装备技术有限公司授权不得商用。

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