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本发明提供了一种制作静电放电保护器件的方法及静电放电保护器件，包括：在半导体衬底的正面外延生长半导体外延层；在半导体外延层内通过预设工艺流程同时形成第一阱区以及第二阱区并进行高温退火；在第一阱区及第三阱区内通过预设工艺流程分别形成第一掺杂区...
该专利属于捷捷半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷半导体有限公司授权不得商用。

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