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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，所述第一区和第二区沿第一方向排列，所述第一区基底表面具有若干鳍部，相邻鳍部之间具有第一开口，且在第一方向上所述第二区的尺寸大于所述第一开口的尺寸，所述若干...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。