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本发明提供一种半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管的制备方法包括：提供具有凹槽结构的生长基底，生长第一N型氮化镓层及第二N型氮化镓层，剥离生长衬底，形成阴极金属层及阳极金属层。本发明在生长基底上进行侧向外延生长形成第一N型...
该专利属于上海芯元基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯元基半导体科技有限公司授权不得商用。

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