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本发明一种基于热电堆的无线温度传感器的生产工艺，其特征在于具体步骤如下：步骤一、基体上下两面生长氮化硅；步骤二、生长多晶硅，硼注入，退火；步骤三、光刻第一版，形成四排多晶硅条组，四排多晶硅条组形成口字形结构，每排多晶硅条组包括并排布置的多根...
该专利属于无锡豪帮高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡豪帮高科股份有限公司授权不得商用。

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