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一种自对准存储器装置，包含设置在绝缘层内并具有共平面型顶部表面的导电性底部插塞、设置在该共平面型顶部表面上并具有在50埃至200埃的范围内的厚度的自对准平面型底部电极、设置在该自对准平面型底部电极上的平面型切换材料层、设置在该平面型切换材料...
该专利属于科洛斯巴股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科洛斯巴股份有限公司授权不得商用。

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