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提供一种可靠性得到提高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第三氧化物上的绝缘体，第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn，其中，第一氧化物及第三氧化物都包括I...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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