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在功率变换装置中使用的电流切换用的半导体装置中，同时实现低的导通损失和低的切换损失。半导体装置(100)包括：IGBT(51)，仅具有Gc栅极(92)，p型集电极层(4A)的杂质浓度被设定得高；以及IGBT(51)，具有Gs栅极(91)和G...
该专利属于株式会社日立功率半导体所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立功率半导体授权不得商用。

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