温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种存储器设备，该存储器设备包括形成在同一半导体衬底上的存储器单元、逻辑器件和高电压器件。该存储器单元和高电压器件下方的衬底的上表面的部分相对于逻辑器件下方的衬底的上表面部分形成凹陷。该存储器单元包括设置在衬底的沟道区的第一部分上方的多晶硅...
该专利属于硅存储技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。