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本公开的半导体装置设置有：第一场效应晶体管10，其具有至少两个沟道结构部分11，每个沟道结构部分11具有纳米线结构40或纳米片结构；以及第二场效应晶体管20，其具有鳍结构，其中，所述沟道结构部分11在第一场效应晶体管的厚度方向上彼此隔开。...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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