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本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，其中，自下而上依次包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极，所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成，所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成，所述金属氧化物薄膜覆盖于所述栅极绝缘层...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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