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本发明公开了一种核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法。该方法首先利用MBE/MOCVD技术在蓝宝石衬底生长第二重掺n‑GaN层，作为后续的漏端欧姆接触层，再继续外延核壳式纳米柱状p‑n结，内层n‑GaN为沟道层，最后再外延一层重掺的...
该专利属于南京南大光电工程研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京南大光电工程研究院有限公司授权不得商用。

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