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本发明提供一种结合二次外延及自对准工艺的氮化镓器件结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成包括氮化镓层的外延结构，通过掩膜层保护，外延生长源极结构及漏极结构，形成栅极侧墙，形成栅极结构。本发明通过二次外延生长形成源极结构及漏极结构...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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