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本发明公开了一种垂直异质p‑n结结构器件及其制备方法，属于半导体领域，所述垂直异质p‑n结结构器件包括：衬底，第一n型材料层，位于所述第一n型材料层上方的p型材料层，位于所述p型材料层上方的第二n型材料层，分别位于所述第一n型材料层上方、所...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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