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本发明公开了一种氮化水平异质p‑n结结构器件及其制备方法，属于半导体器件领域，所述氮化水平异质p‑n结结构器件包括：衬底、p型材料层、嵌入所述p型材料层内部的n型材料层、以及p型材料层和n型材料层上表面上的金属电极。其中，通过在p型材料层上...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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