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本发明公开了一种PMOS和NMOS的集成结构，PMOS具有第一栅极结构，NMOS具有第二栅极结构；第一栅极结构包括栅介质层、第一功函数层和金属栅；第二栅极结构包括栅介质层、第二功函数层和金属栅；第一功函数层由第一镍层组成；第二功函数层由镍钽...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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