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本发明提出一种在节省芯片面积、保证低泄漏电流、不额外添置控制电路的情况下，满足高耐压特性的高压自举二极管复合器件结构，所述复合器件可有效代替高压栅驱动芯片中的自举二极管，实现和优化自举二极管的功能。该复合器件由高压JFET和二极管组成，可用...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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