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本发明公开了一种碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其碳化硅单晶生长方法，通过改变石墨坩埚盖的结构，将石墨坩埚盖改成两段式结构，进而将籽晶固定方式由传统的胶粘方式变成机械固定方式，籽晶背面镀上碳膜，通过两段式石墨坩埚盖旋紧固定，籽晶和石墨坩埚盖上...
该专利属于南通大学所有，仅供学习研究参考，未经过南通大学授权不得商用。

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