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本发明提供了一种纳米晶及其制备方法。该纳米晶包括第一纳米结构和多个第二纳米结构，第一纳米结构为InZnP/ZnSe，第二纳米结构为ZnS，第二纳米结构围绕第一纳米结构，且第二纳米结构的至少一部分不和第一纳米结构连接，且第二纳米结构的至少一部...
该专利属于纳晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳晶科技股份有限公司授权不得商用。

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