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本发明涉及一种常压烧结制备致密(HfZrTaNbTi)C高熵陶瓷烧结体的方法,包括:(1)选HfC粉体、ZrC粉体、TaC粉体、NbC粉体和TiC粉体作为原料,再加入粘结剂和溶剂混合,得到浆料;(2)将所得浆料干燥过筛或喷雾造粒,得到混合粉...该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种常压烧结制备致密(HfZrTaNbTi)C高熵陶瓷烧结体的方法,包括:(1)选HfC粉体、ZrC粉体、TaC粉体、NbC粉体和TiC粉体作为原料,再加入粘结剂和溶剂混合,得到浆料;(2)将所得浆料干燥过筛或喷雾造粒,得到混合粉...