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本发明公开了一种石墨烯半导体制备装置及方法，一种石墨烯半导体制备方法，包括以下步骤：I、提供SiC衬底，利用氢气刻蚀；II、在氩气氛围下对SiC衬底片进行升温；III、在超高真空的环境下，形成六方蜂窝状的石墨烯薄膜；IV：形成石墨烯半导体复...
该专利属于山东华达新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华达新材料有限公司授权不得商用。

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