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本发明涉及像元级倍增的IFT CCD像元结构，特别涉及一种像元级倍增内线帧转移CCD像素结构，该结构包括衬底、像元倍增结构、像元垂直转移区，所述像元倍增结构由沟阻环绕并在一侧有开口，在所述像元倍增结构和沟阻开口处的上方设置有像元倍增栅；像元...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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