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本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，包括阻变层与顶部电极，在阻变层与顶部电极之间注入硅离子形成过渡层。本发明还公开了一种氧化钽基半导体结构的制造方法。在顶部电极和阻变层之间形成一层Ta‑Si‑O的过渡层，由于游离Si的存在，器件的过渡层...该专利属于浙江省北大信息技术高等研究院;杭州未名信科科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江省北大信息技术高等研究院;杭州未名信科科技有限公司授权不得商用。