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本发明涉及一种双极型可见光探测器及其制备方法，双极型可见光探测器包括衬底、外延层、沉积的金属电极，外延层按照自下而上的生长顺序依次为成核层、过渡层、Si掺杂n型GaN下欧姆接触层、Si掺杂n型Al...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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