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本发明公开了具有多金属栅结构的HEMT器件及其制备方法。该器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极靠近源极侧设置栅电极，栅电极第一层金属X采用电子束蒸发方式沉积，栅电极第二层金属Y采用磁控...该专利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学授权不得商用。