温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构，涉及半导体制造领域。该JFET器件包括衬底、N型深阱、设置在N型深阱内的P型阱；P型阱内设置有第一P型区和第一N型区，第一P型区和第一N型区引出后短接形成JFET器件...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。