温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件，属于集成电路制造技术领域。通过本申请提供的制备方法制备得到的SONOS存储器件，由于两个相对设置的L型ONO层共用位线，且位于外侧的选择管栅靠近SONOS存储器件的源端，因此...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。