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本发明公开了一种大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用，大面积有机半导体单晶的制备方法包括以下步骤：使基底保持40～60℃的温度，在所述基底的上表面设置一刮刀，位于所述刮刀底端的刀刃与所述基底的上表面的距离为5～20微米，在刮刀和基底之间滴...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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