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本发明提供一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构。它包括中频加热线圈、石墨毡保温层、内坩埚、籽晶托、外坩埚、气体冷却装置和外坩埚盖，中频加热线圈设置在石墨毡保温层外圈，石墨毡保温层设置在外坩埚外圈，内坩埚与外坩埚构成可分离式嵌套结构的坩...
该专利属于哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司授权不得商用。

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