温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，在衬底的上表面固定有缓冲层，在缓冲层的上表面固定有势垒层，在势垒层的上表面固定有源极金属、第一钝化层、P型栅极、肖特基结型场板、第二钝化层与漏极金属，第一钝化层的右端部分延伸到P型栅...
该专利属于无锡硅动力微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡硅动力微电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。