下载氮化镓基半导体激光器及其制作方法的技术资料

文档序号:24804301

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本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器,包括衬底和设于衬底底部的底电极以及依次层叠设置于衬底顶部的外延结构、绝缘层、顶电极,外延结构的顶部具有脊形半导体层,脊形半导体层具有第一脊形部和欧姆接触层,欧姆接触层设于第一脊形部上,绝缘层设有开口,开...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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