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本发明公开了一种电场控制纳米磁铁及包含其的随机存取存储器(SOT‑MRAM)。其中，电场控制纳米磁铁包括：一第一自旋霍尔材料层，包括一第一自旋霍尔材料；一第二自旋霍尔材料层，包括一第二自旋霍尔材料；以及一第一磁性材料层，设置在第一自旋霍尔材...
该专利属于中央研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中央研究院授权不得商用。

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