温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其包含第一磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案，设于基底上，第二MTJ图案设于该第一MTJ图案旁以及第一金属内连线图案设于该第一MTJ图案以及该第二MT...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。