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本发明提供一种磁存储单元及SOT‑MRAM存储器，所述磁存储单元包括：自旋轨道矩提供线和两个磁性隧道结，每个所述磁性隧道结包括依次堆叠的自由层、隧道层和参考层，两个所述磁性隧道结位于所述自旋轨道矩提供线的同一侧且各自的自由层靠近所述自旋轨道...该专利属于中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。