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本发明涉及一种具有选择性发射极的太阳能电池的制备方法，包括：(1)、在硅基体一面生长掩膜层作为硅基体的正面；(2)、在掩膜层上局部印刷刻蚀浆料层，并烘干；(3)、对硅基体硼扩散处理，以在不含掩膜层的区域形成重掺杂区域，含掩膜层的区域形成轻掺...
该专利属于泰州中来光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州中来光电科技有限公司授权不得商用。

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