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本发明属于二极管加工应用技术领域，涉及台面二极管芯片，尤其涉及一种半导体台面二极管芯片及其制作方法。包括硅片衬底层、设置在硅片衬底层底部的N+阴极层以及设置在硅片衬底层顶部的P+阳极层，所述硅片衬底层和P+阳极层呈台面状设置，所述硅片衬底层...
该专利属于济南兰星电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南兰星电子有限公司授权不得商用。

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