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本发明公开了一种集成采样功能的超高压LDMOS复合管，可以对超高压LDMOS管进行电流采样。在超高压LDMOS管后级串联一个作为采样管的低压CMOS管，并通过版图设计把低压CMOS集成在超高压LDMOS管内，超高压晶体管的源端同时是采样管C...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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